如圖所示，場強大小為E、方向豎直向上的勻強電場記憶體在一豎直平面內半徑為R的圓形區域，O點為該圓形區域的圓心，A...

問題詳情：

如圖所示，場強大小為E、方向豎直向上的勻強電場記憶體在一豎直平面內半徑為R的圓形區域，O點為該圓形區域的圓心，A點是圓形區域的最低點，B點是最右側的點．在A點有放*源釋放出初速度大小不同、方向均垂直於場強向右的正電荷，電荷的質量為m，電荷量為q，不計重力．試求：

(1)電荷在電場中運動的加速度；

(2)運動軌跡經過B點的電荷在A點時的速度；

(3)若在圓形區域的邊緣有一接收屏CBD，C、D分別為接收屏上最邊緣的兩點，如圖所示，∠COB＝30°.若有一電荷到達C點，求它到達C點的速度的大小。

【回答】

解(1)由牛頓第二定律 qE=ma  得加速度a＝. 豎直向上。

(2)水平方向：R＝v0t，

豎直方向：R＝at2   可解得：

v0＝.

(3)C點接收到的電荷，豎直方向：

                       水平方向：

     解得：    又

     則電荷到C點的速度：

知識點：串聯電路和並聯電路

題型：實驗,探究題