如圖所示，x軸上方以原點O為圓心、半徑為R=2m的半圓形區域記憶體在勻強磁場，磁場的方向垂直於xOy平面...

問題詳情：

     如圖所示，x軸上方以原點O為圓心、半徑為R=2 m的半圓形區域記憶體在勻強磁場，磁場的方向垂直於xOy平面並指向紙面外，磁感應強度為，在x軸下方的區域記憶體在方向與y軸相同的勻強電場。y軸下方的A點與O點的距離為d=1 m，一質量為、電荷量為的帶正電粒子從A點由靜止釋放，經電場加速後從O點*入磁場，不計粒子的重力作用。

（1）要使粒子進入磁場之後不再經過x軸，電場強度需大於或等於某個值E，求E；

（2）若電場強度變化為第（1）問E的，求粒子經過磁場偏轉後到達x軸時的座標。

【回答】

【解析】（1）粒子恰好不經過軸，則離開磁場時速度方向與軸平行，如圖（*）所示

由幾何關係得：  （2分）

在電場中  （1分）

在磁場中（2分）

聯立解得（2分）

   （2）若電場強度變為原來的可知（2分）

如圖（乙）所示，設軌跡圓弧的弦與x軸夾角為α，由 ，有（2分）

所以粒子經軸時位置座標為（1分）

解得（1分）

即座標為（2分）

知識點：安培力與洛倫茲力單元測試

題型：計算題