如圖1所示，在O≤x≤2L的區域記憶體在著勻強磁場，磁場的方向垂直於xOy平面（紙面）向裡，具有一定電阻的矩形線...

問題詳情：

如圖1所示，在O≤x≤2L的區域記憶體在著勻強磁場，磁場的方向垂直於xOy平面（紙面）向裡，具有一定電阻的矩形線框abcd位於xOy平面內，線框的ab邊與y軸重合，bc邊的長度為L。線框從t=0時刻由靜止開始沿x軸正方向做勻加速運動，則線框中的感應電流i（取順時針方向的電流為正）隨時間t的函式圖象大致是圖2中的

【回答】

【*】C

【解析】分三段：

線框進入磁場的過程：磁通量增加，根據楞次定律分析可知，感應電流的方向為逆時針方向，電流為正值；感應電流大小，則知，I與t成正比；設此過程所用時間為t0，則有，得；

線框完全進入磁場的過程中：穿過線框的磁通量不變，沒有感應電流產生，根據運動學規律知，此過程所用時間為；

線框穿出磁場的過程：磁通量減小，根據楞次定律可知，感應電流的方向為順時針方向，電流為負值；感應電流大小，此過程所用時間為。

故選C。

【考點】閉合電路的歐姆定律；法拉第電磁感應定律

知識點：法拉第電磁感應定律

題型：選擇題