如圖所示在光滑絕緣的水平Oxy平面的ABCD區域內，區域ABEO存在沿x軸負方向的勻強電場，區域MNCD記憶體在...

問題詳情：

如圖所示在光滑絕緣的水平Oxy平面的ABCD區域內，區域ABEO存在沿x軸負方向的勻強電場，區域MNCD記憶體在沿y軸負方向的勻強電場，場強大小均為E，區域OENM內不存在電場．兩勻強電場區域的邊界均是邊長為L的正方形，即AO=OM=MD=DC=L，如圖所示．

（1）在該區域AB邊的中點處由靜止釋放一電量為q的帶正電小球，求帶電小球離開ABCD區域的位置座標；

（2）在ABEO區域內適當位置由靜止釋放一電量為q的帶正電小球，小球恰能從ABCD區域左下角D處（即x軸上x=﹣2L處）離開，求所有釋放點的位置座標滿足的關係．

【回答】

解：

（1）加速過程中，

沿電場方向上有：

垂直於電場方向有：L=v0t

則可解得：

y=at2=a=

得P（﹣2L，）

（2）設釋放點的座標為（x，y）

L=v0t

y=at2=a=

即所有釋放點的位置座標滿足的關係為：．

答：（1）帶電小球離開ABCD區域的位置座標為（﹣2L，）；（2）所有釋放點的位置座標滿足的關係為：．

知識點：帶電粒子在電場中的運動

題型：計算題