砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料，可用於製作微型鐳射器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：(1)寫出基態A...

問題詳情：

砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料，可用於製作微型鐳射器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：

(1)寫出基態As原子的核外電子排布式 ____________。

(2)根據元素週期律，原子半徑Ga______As，第一電離能Ga_____As。(填“大於”或“小於”)

(3)AsCl3分子的立體構型為____________，其中As的雜化軌道型別為____________。

(4)GaF3的熔點高於1 000 ℃，GaCl3的熔點為77.9 ℃，其原因是__________________。

(5)GaAs的熔點為1 238 ℃，密度為ρ g·cm－3，其晶胞結構如圖所示。該晶體的型別為________，Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏加德羅常數值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積佔晶胞體積的百分率為____________。

【回答】

(1)[Ar]3d104s24p3

(2)大於　小於

(3)三角錐形　sp3

(4)GaF3為離子晶體，GaCl3為分子晶體

(5)原子晶體　共價　×100%

知識點：物質結構 元素週期律

題型：綜合題