砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料,可用於製作微型鐳射器或太陽能電池的材料等。回答列問題:(1)寫出基態As...
問題詳情:
砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料,可用於製作微型鐳射器或太陽能電池的材料等。回答列問題:
(1)寫出基態As原子的核外電子排布式_____________________________________________
(2)根據元素週期律,原子半徑Ga_______As,第一電離能Ga_________As。(填“>”或“<”)
(3)AsCl3分子的立體構型為______________,其中As的雜化軌道型別為____________________。
(4)GaF3的熔點高於1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因為__________________。
(5)GaAs的熔點為1238℃,密度為ρ g/cm3,其晶胞結構如圖所示。該晶體型別為______________,Ga與As以______________鍵鍵合。
Ga和As的摩爾質量分別為和,原子半徑分別為和,阿伏加德羅常數值為,則GaAs晶胞中原子的體積佔晶胞體積的百分率為(已知:晶胞內As原子之間彼此不相切)__________________________
【回答】
【*】 (1).3d104s24p3 (2).> (3).< (4).三角錐形 (5).SP3 (6).前者為離子晶體,融化破壞離子鍵;後者為分子晶體,融化破壞分子間作用力 (7).原子晶體 (8).共價鍵 (9).
【解析】(1)As是33號元素,基態As原子的核外電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p3。
(2)31號Ga和33號As都是第4週期的主族元素,同一週期元素原子半徑從左到右逐漸減小,原子半徑Ga大於As;同一週期元素的第一電離能呈逐漸增大的趨勢,更有As的4p軌道是半充滿狀態,所以第一電離能Ga小於As。
(3)AsCl3分子的價層電子對數為4,中心原子為sp3雜化,但是隻形成3個σ鍵,所以其立體構型為三角錐形。
(4)GaF3的熔點高於1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,離子晶體GaF3的熔沸點高。
(5)GaAs與晶體Si是等電子體,其晶胞與晶體Si及金剛石相似,熔點為1238℃很高,所以其為原子晶體, Ga與As以共價鍵鍵合。該晶體的密度為ρg·cm-3, Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數值為NA。每個晶胞中有4個Ga原子和4個AS原子,則1mol該晶胞的質量為,1mol該晶胞的體積V=== 。1mol該晶胞中含4molGaAs,4molGa原子和4molAs原子的總體積為,所以晶胞中原子的體積佔晶胞體積的百分率
為。
【點睛】判斷微粒的空間構型的方法一般有3種:1.可以先計算中心原子的價電子對數,判斷微粒的價層電子對互斥模型,再根據微粒中的σ鍵的數目判斷微粒的實際空間構型;2.可以根據中心原子的雜化型別判斷微粒的空間構型;3.根據微粒的常見的等電子體判斷微粒的空間構型。計算原子的空間利用率時,把晶胞中原子按球體算出晶胞中所有原子的體積,然後除以晶胞的體積即可。通常用放大法,按1摩爾晶胞計算。
知識點:物質結構 元素週期律單元測試
題型:填空題
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