鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態Ge原子的核外電子排布式為[...
問題詳情:
鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:
(1)基態Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________,有______個未成對電子。
(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叄鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叄鍵。從原子結構角度分析,原因是________________。
(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規律及原因___________。
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔點/℃ | −49.5 | 26 | 146 |
沸點/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
(4)光催化還原CO2製備CH4反應中,帶狀奈米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負*由大至小的順序是______________。
(5)Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式為__________,微粒之間存在的作用力是_____________。
(6)晶胞有兩個基本要素:
①原子座標引數,表示晶胞內部各原子的相對位置,下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子座標引數A為(0,0,0);B為(,0,);C為(,,0)。則D原子的座標引數為______。
②晶胞引數,描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞引數a=565.76 pm,其密度為__________g·cm-3(列出計算式即可)。
【回答】
(1)3d104s24p2 ;2;
(2)鍺元素原子半徑大,難以通過“肩並肩”方式形成π鍵;
(3)GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體。組成和結構相似的分子晶體,相對分子質量越大,分子間作用力越大,熔沸點越高。相對分子質量GeCl4<GeBr4<GeI4,所以,熔沸點GeCl4<GeBr4<GeI4;
(4)O>Ge>Zn;
(5)sp3 ;共價鍵(或非極*鍵);
(6)①(;;);②。
知識點:物質結構 元素週期律
題型:填空題
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