如圖所示,水平地面上方矩形區域記憶體在垂直紙面向裡的勻強磁場,兩個邊長相等的單匝閉合正方形線圈Ⅰ和Ⅱ,分別用相同...
問題詳情:
如圖所示,水平地面上方矩形區域記憶體在垂直紙面向裡的勻強磁場,兩個邊長相等的單匝閉合正方形線圈Ⅰ和Ⅱ,分別用相同材料,不同粗細的導線繞制(Ⅰ為細導線)。兩線圈在距磁場上介面高處由靜止開始自由下落,再進入磁場,最後落到地面。運動過程中,線圈平面始終保持在豎直平面內且下邊緣平行於磁場上邊界。設線圈Ⅰ、Ⅱ落地時的速度大小分別為vv2,在磁場中運動時產生的熱量分別為QQ2。(不計空氣阻力)則
A.v1<v2,Q1< Q2 B.v1=v2,Q1= Q2
C.v1<v2,Q1>Q2 D.v1=v2,Q1< Q2
【回答】
D
知識點:專題八 電磁感應
題型:選擇題
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