“偏壓”造句，怎麼用偏壓造句

這是在其上面產生負偏壓的電阻器。

源表首先進行必要的直流測試，例如正向偏壓、反向擊穿電壓和漏流。

類金鋼石薄膜的沉積速率隨極板負偏壓、體工作壓力的增加而增大。

磁偏壓約e時，模型表現出的磁電效應最強。

利用負襯底偏壓增強熱燈絲化學氣相沉積系統製備了碳奈米管。

藍光強度與黃光強度的比值隨著反向偏壓的增加而增加。

並在此基礎上，詳細討論了表面聲波的頻率和功率，以及門電壓和源漏偏壓對聲電電流的影響。

處理後，器件各柵偏壓下的源漏飽和電流降低了，柵漏擊穿電壓有了顯著提高。

直接施加於試樣的脈衝負偏壓對電漿體特*沒有明顯影響，但存在著一定的濺*作用。

且隨著基片偏壓值的增大，電子能量有緩慢的增加，而電子密度則顯著下降。

通過數值模擬的方法，研究了無偏壓雙光子光伏光折變介質中匹配高斯光束的動態演化及自偏轉特*。

一種脈衝負偏壓電源是由多個脈衝分量形成的電路串聯構成，脈衝的頻率和佔空比直接在高壓側調節。

基於連拱隧道洞口端存在嚴重偏壓和邊坡高陡現象，設計一種新穎特殊隧道——耳牆式隧道，即在深埋側設計隧道淺埋側路塹的結構形式。

提出了基於有限單元法求解偏壓隧道襯砌結構可靠度的方法，開發了實用計算機程式，並給出實際算例。

半導體發*區域能夠迴應於偏壓全方向地發*光，而使多孔層增強通 過基層的發*區域的光的提取。

變壓器可在兩個電晶體之間隔離直流偏壓。

注意到這並不比固定偏壓的例子複雜。

若要測量正向偏壓，需施加規定的電流，然後測量產生的壓降。

當供應電壓小於限制電壓時，偏壓電流將增加，並決定切換週期的最大截止時間。

介紹的新型CUK型變換器，旨在實現一種高效、低成本、輸出電壓紋波極低的負偏壓設計方案。

本文采用交替施加高偏壓和低偏壓的方法，合成出了具有軟膜和硬膜結構的無*類金剛石多層膜。

利用ECR-微波電漿濺*沉積技術不同偏壓下在#鋼基體上製備了ZrN薄膜。

二百零構造圓形截面正截面偏壓承載力極限狀態方程時，採用二次多項式替代了求解受壓區混凝土截面面積的圓心角的超越方程，實現了對該節點的可靠度計算。

實驗結果表明這種*頻基片偏壓振盪現象與電漿體放電引數以及調諧電路引數等多種因素密切相聯絡。

基極的順向偏壓通常是用和集極相同的電壓源.

軟巖地區淺埋偏壓大跨度隧道進口段極易塌方。

最後一階段我們對前翼進行了一點調整，包括剎車偏壓，還降低了一些胎壓，使得情況稍有好轉。

應用該方法，以長細比、偏心率和初應力度為主要引數對有初應力的鋼管混凝土偏壓構件進行了受力*能分析。

脈衝的電壓，寬度，預設直流偏壓和偏置時間可以由使用者設定。

本文對截面部分進入塑*的鋼偏壓杆腹板的屈曲進行了研究。

當左右電子庫之間存在偏壓時，通過對系統的自旋電流與電荷流公式的分析，得到系統中只存在電荷流而沒有自旋電流的條件。

結果表明隨著負偏壓的增大，準直碳奈米管的平均直徑減小，平均長度增大。

研究了基片分支串聯電阻對基片自偏壓的影響，發現了在電阻值區自偏壓自振盪現象；