多晶矽是製作光伏電池的關鍵材料。以下是由粗矽製備多晶矽的簡易過程。回答下列問題:Ⅰ.矽粉與在300℃時反應生成...
問題詳情:
多晶矽是製作光伏電池的關鍵材料。以下是由粗矽製備多晶矽的簡易過程。
回答下列問題:
Ⅰ.矽粉與在300℃時反應生成氣體和,放出熱量,該反應的熱化學方程式為________________________。的電子式為__________________。
Ⅱ.將*化為有三種方法,對應的反應依次為:
①
②
③
(1)*化過程中所需的高純度可用惰*電極電解溶液製備,寫出產生的電極名稱______(填“陽極”或“*極”),該電極反應方程式為________________________。
(2)已知體系自由能變,時反應自發進行。三個*化反應的與溫度的關係如圖1所示,可知:反應①能自發進行的最低溫度是____________;相同溫度下,反應②比反應①的小,主要原因是________________________。
(3)不同溫度下反應②中轉化率如圖2所示。下列敘述正確的是______(填序號)。
a.B點: b.:A點點 c.反應適宜溫度:℃
(4)反應③的______(用,表示)。溫度升高,反應③的平衡常數______(填“增大”、“減小”或“不變”)。
(5)由粗矽製備多晶矽過程中迴圈使用的物質除、和外,還有______(填分子式)。
【回答】
*極 或 1000℃ 導致反應②的小 a、c 減小 、
【分析】
I.書寫熱化學方程式時一定要標註出各物質的狀態,要將熱化學方程式中焓變的數值與化學計量數對應。本題的反應溫度需要標註為條件;
II.(1)惰*電極電解KOH溶液,實質是電解水,產生*氣的必為*極,發生還原反應。
(2)“看圖說話”,將反應①的縱、橫座標對應起來看,即可順利找到最低溫度。影響自由能變的因素主要是焓變和熵變,分析發現熵變對反應②反而不利,說明焓變影響大,為主要影響因素;
(3)據圖判斷化學平衡的建立和移動是分析的關鍵。注意時間是一個不變的量。
(4)此問是蓋斯定律的簡單應用,對熱化學方程式直接進行加減即可。
【詳解】
I.參加反應的物質是固態的Si、氣態的HCl,生成的是氣態的SiHCl3和*氣,反應條件是300℃,配平後發現SiHCl3的化學計量數恰好是1,由此可順利寫出該條件下的熱化學方程式:Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g) ∆H=-225kJ·mol-1;SiHCl3中矽與1個H、3個Cl分別形成共價單鍵,由此可寫出其電子式為:,注意別漏標3個*原子的孤電子對;
II.(1)電解KOH溶液,陽極發生氧化反應而產生O2、*極發生還原反應才產生H2;*極的電極反應式可以直接寫成2H++2e-=H2↑,或寫成由水得電子也可以:2H2O+2e-=H2↑+2OH-;
(2)由題目所給的圖1可以看出,反應①(最上面那條線)當∆G=0時,對應的橫座標溫度是1000℃;從反應前後氣體分子數的變化來看,反應①的熵變化不大,而反應②中熵是減小的,可見熵變對反應②的自發更不利,而結果反應②的∆G更負,說明顯然是焓變產生了較大的影響,即∆H2<∆H1導致反應②的∆G小(兩個反應對應的∆H,一個為正值,一個為負值,大小比較很明顯);
(3)圖2給的是不同溫度下的轉化率,注意依據控制變數法思想,此時所用的時間一定是相同的,所以圖示中A、B、C點反應均正向進行,D點剛好達到平衡,D點到E點才涉及平衡的移動。在到達平衡狀態以前,正反應速率大於逆反應速率,a項正確,B點反應正向進行,正反應速率大於逆反應速率;b點錯誤,溫度越高,反應速率越快,所以E點的正(或逆)反應速率均大於A點;c項正確,C到D點,SiHCl3的轉化率較高,選擇此溫度範圍比較合適,在實際工業生產中還要綜合考慮催化劑的活*溫度。
(4)將反應①反向,並與反應②直接相加可得反應③,所以∆H3=∆H2-∆H1,因∆H2<0、∆H1>0,所以∆H3必小於0,即反應③正反應為放熱反應,而放熱反應的化學平衡常數隨著溫度的升高而減小;
(5)反應①生成的HCl可用於流程中粗矽提純的第1步,三個可逆反應中剩餘的H2也可迴圈使用。
【點睛】
①對於反應的吉布斯自由能大小比較及變化的分析,要緊緊抓住焓判據和熵判據進行分析。②判斷圖2中時間是一個不變的量,是看清此圖的關鍵。明白了自變數只有溫度,因變數是SiCl4的轉化率,才能落實好平衡的相關知識的應用,如平衡的建立,平衡的移動以及平衡常數隨溫度變化的規律等。
知識點:影響化學反應速率的因素
題型:綜合題
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