高純度的單晶矽是製做電子積體電路的基礎材料。工業上製備高純矽的化學反應原理為:①SiO2+2CSi+2CO②S...
問題詳情:
高純度的單晶矽是製做電子積體電路的基礎材料。工業上製備高純矽的化學反應原理為:
①SiO2+2CSi+2CO②Si+3HClHSiCl3+H2③HSiCl3+H2Si+3X
反應①製得粗矽,通過反應②③進一步得到高純矽;三*矽*(HSiCl3)的沸點是 31.8℃.下列有關說法不正確的是( )
A.反應③中X 的化學式為 HCl
B.三*矽*由*、矽、*三種元素組成
C.三*矽*中矽、*元素的質量比為 1:3
D.反應②③實現了矽元素的富集,將粗矽轉化為高純矽
【回答】
【分析】根據給出的轉化關係對應的過程分析每個對應的問題,或者直接分析每個問題,從給出的資訊中找對應的資訊。
【解答】解:
A、③HSiCl3+H2Si+3X,根據質量守恆定律可知,反應③中X 的化學式為 HCl.正確;
B、三*矽*(HSiCl3)由*、矽、*三種元素組成。正確;
C、三*矽*(HSiCl3)中 1:3是矽、*元素的原子個數比而非質量比。錯誤;
D、反應②③實現了矽元素的富集,將粗矽轉化為高純矽。正確;
故選:C。
【點評】讀資訊,從中獲得解答題目所需的資訊,所以在解答題目時先看解答的問題是什麼,然後帶著問題去讀給出的資訊進而去尋找解答有用的資訊,這樣提高了資訊捕捉的有效*。
知識點:各地會考
題型:選擇題
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