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單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相...

練習題2.44W

問題詳情:

單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相似。

單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相...單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第2張單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第3張單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第4張單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第5張單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第6張單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第7張

下列說法正確的是(  )

A.X為**氧化物,能與鹼反應,不能與*反應

B.Y的化學式為SiH4

C.X、Z都含有非極*共價鍵

D.X與Mg在加熱條件下反應的化學方程式為SiO2+2Mg單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第8張2MgO+Si

【回答】

解析:Z是半導體材料,即Z為Si,X為SiO2。A項,SiO2是**氧化物,能與鹼反應,能和HF反應,故錯誤;B項,根據元素守恆,因此Y是SiH4,故正確;C項,SiO2中只含有極*共價鍵,故錯誤;D項,根據反應過程,反應方程式為SiO2+4Mg單質Z是一種常見的半導體材料,可由X通過如下圖所示的路線製備,其中X為Z的氧化物,Y為*化物,分子結構與**相... 第9張Mg2Si+2MgO,故錯誤。

*:B

知識點:化學鍵

題型:選擇題