如圖*所示，導體棒MN置於水平導軌上，PQMN所圍的面積為S，PQ之間有阻值為R的電阻，不計導軌和導體棒的電阻...

問題詳情：

如圖*所示，導體棒MN置於水平導軌上，PQMN所圍的面積為S，PQ之間有阻值為R的電阻，不計導軌和導體棒的電阻。導軌所在區域記憶體在沿豎直方向的勻強磁場，規定磁場方向豎直向上為正，在0～2t0時間內磁感應強度的變化情況如圖乙所示，導體棒MN始終處於靜止狀態。下列說法正確的是

A. 在0～t0和t0~2t0時間內，導體棒受到的導軌的摩擦力方向相同

B. 在0~t0內，通過導體棒的電流方向為N到M

C. 在t0~2t0內，通過電阻R的電流大小為、

D. 在0~2t0時間內，通過電阻R的電荷量為

【回答】

【*】B

【解析】

A、由圖乙所示圖象可知，0～t0內磁感應強度減小，穿過迴路的磁通量減小，由楞次定律可知，為阻礙磁通量的減少，導體棒具有向右的運動趨勢，導體棒受到向左的摩擦力，在t0～2t0內，穿過迴路的磁通量增加，為阻礙磁通量的增加，導體棒有向左的運動趨勢，導體棒受到向右的摩擦力，在兩時間段內摩擦力方向相反，故A錯誤；

B、由圖乙所示圖象可知，在0～t0內磁感應強度減小，穿過閉合迴路的磁通量減少，由楞次定律可知，感應電流沿逆時針方向，通過導體棒的電流方向為N到M，故B正確；

C、由圖乙所示圖象，應用法拉第電磁感應定律可得，在t0～2t0內感應電動勢：，感應電流為：，故C錯誤；