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如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置,環形區域記憶體在垂直紙面向外、大小可調節的均勻磁場,質量為m,電荷量為+q的粒...

練習題1.35W

問題詳情:

如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置,環形區域記憶體在垂直紙面向外、大小可調節的均勻磁場,質量為m,電荷量為+q的粒子在環中做半徑為R的圓周運動AB為兩塊中心開有小孔的極板,原電勢都為零,每當粒子順時針飛經A板時,A板電勢升高為UB板電勢仍保持為零,粒子在兩板間電場中得到加速,每當粒子離開B板時,A板電勢又降為零,粒子在電場一次次加速下動能不斷增大,而繞行半徑不變(    )

A.粒子從A板小孔處由靜止開始在電場作用下加速,繞行n圈後回到A

板時獲得的總動能為2nqU

B.在粒子繞行的整個過程中,若A板電勢始終保持為+U,粒子仍可不 

斷加速

C.在粒子繞行的整個過程中,每一圈的週期不變

D.為使粒子始終保持在半徑為R的圓軌道上運動,磁場必須週期*遞增,則粒子繞行第n圈時的磁感應強度為如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置,環形區域記憶體在垂直紙面向外、大小可調節的均勻磁場,質量為m,電荷量為+q的粒...如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置,環形區域記憶體在垂直紙面向外、大小可調節的均勻磁場,質量為m,電荷量為+q的粒... 第2張

如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置,環形區域記憶體在垂直紙面向外、大小可調節的均勻磁場,質量為m,電荷量為+q的粒... 第3張

【回答】

D

知識點:未分類

題型:選擇題