“電介質擊穿”造句，怎麼用電介質擊穿造句

提出了晶片閘電路矽氧化層靜電放電介質擊穿的物理模型。

因此擊穿電壓的檢測必須重視電介質擊穿現象的電引數值的測量。

通過固體電介質擊穿理論的分析，提出由區域性*缺陷發展逐漸導致介質擊穿需要較長的發展時間。