“矽晶”造句，怎麼用矽晶造句

這基本上是一個很小的坑矽蝕刻和兩高硼矽晶片密封。

矽晶片通常都是從一塊較大的矽上裁剪而來，此方式浪費了大概一半的圓晶原料。

晶種法在矽晶片表面生成超薄膜的的一項新興技術。

電子繞圖中銀*的矽晶格中的*原子的軌道。

採用磁控共濺*法制備了含不同尺寸奈米矽晶粒的氧化矽複合薄膜。

以炭黑和二氧化矽微粉為原料，對雙重加熱法合成碳化矽晶須進行了研究。

此圖顯示的就是光掩膜，上面印有將列印到矽晶片上的圖案。

這些工廠還為其他晶片鑄造廠生產空白矽晶：Shin-Etsu 每月能生產約 120 萬 12 英寸的晶圓。

有這種特徵的矽晶表面對水是完全排斥的，在這樣的矽晶表面上，水滴打上去就會象乒乓球那樣反*回去。

為了簡化運輸和儘可能降低被汙染的風險，晶片製造商利用“前開式標準晶圓盒”即所謂的FOUP來搬運晶圓。每個無塵超淨的晶圓盒中可放置矽晶圓。

本文采用光電導光譜分佈法和紅外光*法初步研究了矽晶體中禁頻寬度與應力的關係。

上週，Paniccia的團隊釋出了第一個完整地整合在矽晶積體電路中的光子通訊系統。

英特爾系統的這些元件，包括鐳射器，都是使用和量產計算機積體電路同樣的矽晶刻方式生產。

例如確保能量傳遞的雙向矽晶體擒縱裝置,以一件矽制零件取代三種功能的ulychoc避震器,既簡化結構但又特別重視效率,定價76萬元。

托盤包含用來承置至少一未封裝的液晶矽晶顯示面板的至少一凹槽及裝設於凹槽一側可導電的連線結構；

然而即使沙子是便宜的，但要從中提煉出適用於生產晶片的矽晶元來卻是昂貴的——確實，可以跟製造晶片本身相提並論了。

這是矽晶片——一個矽晶體的小晶片。

這個新裝置是一張紙牌大小的矽晶片。

這塊藍*平板是由多晶體矽製成的模組。導體的溝槽和多矽晶體在其表面閃閃發光。

GB/T1554-1995矽晶體完整*化學擇優腐蝕檢驗方法

大部分理論計算研究的是量子限制對多孔矽和奈米矽晶發光的效應。

透*電子顯微鏡方法的研究顯示了兩種襯底上奈米矽晶粒的尺寸。

公司科研人員說，他們的非晶體矽半導體管與矽晶體半導體管電流速度一樣快，但製造成本卻低得多，產生的熱量也大為減少。

電子工業用水：積體電路、矽晶片、顯示管、電極管、電路管等電子元件沖洗水。

這意味著釋放等量電力的情況下，需要的矽晶體更少，但這也使得矽更熱——與商業微處理器差不多的發熱量。

這些奈米天線由蝕刻矽晶片製作而成，用到了製作微處理器所需的高階技術，塑料片可以塑型，能適合示汽車和任何行動式電子產品的外殼。

結果表明：薄膜由非晶矽結構轉變為微晶矽結構，微晶矽晶粒尺寸在奈米級。

利維表示，利用該技術製作的電晶體比目前使用的矽晶體管小1000倍。

玻璃板上的影象，然後轉移到鎳矽晶片，簡稱為“墊片”。

同時研製了數控液流懸浮拋光機床，並對矽晶片等材料進行了加工試驗。

它們都集中在一塊直徑為30釐米的圓形矽晶圓上，每一塊這樣的晶圓可以被做成200塊各自*且完全相同的處理器。

為什麼要選擇新巨-矽晶地暖裝置?。

目前已經能在拇指指*大小的矽晶片上超精密地製造出相當於全世界人口數目的電晶體。

所以，數以千計的這類裝置能夠通過使用為晶片上光學通訊的高頻寬而設計的矽晶體管（silicon transistors）並行地進行生產。

這組人員設計了一個反*和干涉系統，將鐳射分成兩束，分別對準拋光矽晶片的兩面，將兩束光限制在矽當中。

一種製造噴墨列印頭的方法，包括：準備具有（110）晶面取向的單晶矽晶片作為基板；