“離子刻蝕”造句，怎麼用離子刻蝕造句

5、給出了加速度計的製作工藝流程，研究瞭解決深反應離子刻蝕過程中的過刻蝕現象的方法。

7、衍*光學元件的製作技術主要包括激光或電子束直寫、反應離子刻蝕、離子束銑及薄膜沉積。

9、透過反應離子刻蝕可以將光刻膠微透鏡圖形轉移至這種高*能的聚合物材料上。

11、本文采用X光電子能譜加氬離子刻蝕法，測出三種分散劑在煤表面吸附膜的近似厚度。

13、採用經過參數優化的DRIE刻蝕深硅槽，並用反應離子刻蝕(RIE)對深槽開口形狀進行修正，製造了具有理想側壁形狀的深槽，利於介質的完全填充，避免產生空洞。

15、利用並行直寫技術與感應耦合等離子刻蝕技術製作了部分二元光學元件。

17、新興的3d互聯技術以及高產量的MEMS應用需要成本低廉以及高產量的深層反應離子刻蝕系統。

19、本文作者認爲等離子體轟擊高聚物表面引起的局部高溫是離子刻蝕後試樣表面出現僞跡的重要原因。

2、並且詳細論述離子刻蝕的原理以及離子源的參數設計。

4、透過深紫外光刻和感應耦合等離子刻蝕設備，製備了所設計的器件。

8、對於光刻膠的去除用熱**泡、超聲清洗、反應離子刻蝕和高溫灰化法相結合，能達到較好的效果。

12、公司生產的300mmPrimoD-RIE系統（去耦反應離子刻蝕）基於雙工作站，小批量造型集羣（mini-batchcluster，mini-batch指每批生產的晶圓不超過十片）架構，爲單芯片生產系統，裝備甚高頻去耦反應離子刻蝕源。

16、採用反應離子刻蝕，各向異*化學腐蝕及自限制熱氧化過程在soi襯底上製備出高質量的超精細硅量子線。

1、利用離子束刻蝕(IBE)和反應離子刻蝕(RIE)等幹法刻蝕方法來製造帶柵極的場發**極陣列。

6、加速度計用普通的N型硅片製造，爲了刻蝕高深寬比的結構，使用了深反應離子刻蝕（DRIE）工藝。

14、我們同時對反應離子刻蝕工藝中的等離子體充電效應和離子轟擊對氧化硅造成的損傷進行了討論。

3、對二氧化硅反應離子刻蝕中反應室壓力，刻蝕氣體流量和*頻功率等因素對刻蝕速率和刻蝕均勻*的影響進行了研究。

18、採用微波電子迴旋共振等離子體反應離子刻蝕（E CR-R IE）裝置對犛牛毛纖維進行表面改*，從而改善犛牛毛的可紡*。

10、本文中的微執行器採用深層反應離子刻蝕技術在硅隔離襯底硅片上製作。