如圖所示區域記憶體在勻強磁場,磁場的邊界由x軸和曲線圍成(x≤2m),現把一邊長為2m的正方形單匝線框以水平速度...
問題詳情:
如圖所示區域記憶體在勻強磁場,磁場的邊界由x軸和曲線圍成(x≤2m),現把一邊長為2m的正方形單匝線框以水平速度v=l0m/s水平勻速地拉過該磁場區,磁場區的磁感應強度為0.4T,線框電阻R=0.5Ω,不計一切摩擦阻力,則
A.水平拉力F的最大值為8N
B.拉力F的最大功率為12.8W
C.拉力F要做25.6J的功才能讓線框通過此磁場區
D.拉力F要做12.8J的功才能讓線框通過此磁場區
【回答】
C
知識點:未分類
題型:未分類
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