工業上利用Ga與NH3高溫條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中,每生成3molH2時...
問題詳情:
工業上利用Ga與NH3高溫條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中,每生成3molH2時放出30.8kJ的熱量。恆溫恆容密閉體系內進行上述反應, 下列有關表達正確的是
A.I影象中如果縱座標為正反應速率,則t時刻改變的條件可以為升溫或加壓
B.II影象中縱座標可以為鎵的轉化率
C.III影象中縱座標可以為化學反應速率
D.IV影象中縱座標可以為體系內混合氣體平均相對分子質量
【回答】
A
【詳解】
A.I圖象中如果縱座標為正反應速率,升高溫度或增大壓強,反應速率增大,圖象符合題意,A正確;
B.Ga是固體,沒有濃度可言,不能計算其轉化率,B錯誤;
C.Ga是固體,其質量不影響反應速率,C錯誤;
D.反應方程式為2Ga(s)+2NH3(g)2GaN(s)+3H2(g)△H<0,相同壓強下,升高溫度,平衡逆向移動,平均相對分子質量增大;相同溫度下,增大壓強,平衡逆向移動,平均相對分子質量增大,D錯誤;
*選A。
知識點:化學平衡影象分析
題型:選擇題
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