“氮化矽”造句，怎麼用氮化矽造句

5、小楔塊兒陷於兩個氮化矽窗體中間。

7、粉末壓型燒結氮化矽樣中氮和氧難以完全釋放，其主要原因為燒結氮化矽樣與粉末氮化矽樣釋放動力學條件不同。

9、惰氣熔融法結合五元浴能夠準確測定燒結氮化矽中氮。

11、第三章為多孔矽表面氮化矽的澱積與轉移技術的結果與討論。

13、氮化矽陶瓷是一種較好的滾動軸承材料。

15、本文研究了鐳射誘導化學氣相沉積法制備奈米氮化矽的工作原理，提出了減少遊離矽的措施，利用雙光束激發製備了超微的、非晶奈米氮化矽粉體。

17、先沉積氮化矽薄膜再*電漿體處理能得到更好的鈍化效果。

19、本發明涉及一種氮化燒結鈦*鋁-氮化矽複合材料及其製備方法，屬陶瓷材料領域。

21、本論文旨在探索高壓釜中氮化矽、氮化鋁等耐高溫奈米材料的低溫製備方法。

23、以環氧改*有機矽樹脂為基體，氮化矽、氧化鋁混合填料為導熱粒子製備了導熱絕緣塗料。

25、鐳射誘導氣相沉積法是製備奈米氮化矽粉末的主要方法之一。

27、基礎油中磺*鈣的加入使氮化矽的磨損速率得到降低。

31、介紹了氮化矽陶瓷*具的切削*能、切削用量的選擇及其應用。

33、本實驗通過系統地改變沉積引數，在經過清洗好的單晶矽片上沉積了一系列的氮化矽薄膜。

35、介紹了微晶玻璃、石英陶瓷、氮化矽等幾種天線罩材料的*能，重點探討了可控密度氮化矽陶瓷材料的特點及在導*天線罩上的應用。

37、此設計用於化爆產生平面動載的氮化矽粉體衝擊波活化研究，取得了較為理想的測試結果。

39、適當引入氮化矽，降低了鋁炭磚的氧化失重率，提高了其抗脫*劑侵蝕的能力及磚的抗氧化*能。

41、採用*頻電漿體增強化學氣相沉積法(RF - PECVD)在鋼襯底上沉積氮化矽薄膜。

43、氮化矽可以通過適當摻雜引入雜質能級，用於製造量子阱獲得藍光鐳射。

45、氮化矽陶瓷*具的使用提高了生產效率，降低了加工成本，有著廣泛的應用前景。

47、報導用連續波CO2鐳射加工機對氮化矽陶瓷的鐳射打孔試驗，獲得了深徑比達18.75的結果。

49、本文主要介紹了用於軟X*線顯微術的氮化矽視窗的製備工藝，給出在國家同步輻*實驗室軟X*線顯微術實驗站使用的實驗結果。

51、主要闡述了採用自制新型水介質電漿弧裝置對氮化矽陶瓷材料進行加熱輔助切削的試驗條件及過程。

53、對氮化矽陶瓷磨削表面進行實驗觀察，從理論上分析了陶瓷材料的加工機理，提出了陶瓷的半延展*磨削模型。

2、目前，矽粉直接氮化法是製備氮化矽應用最普遍的方法。

4、介紹了氮化矽球的加工工藝過程。

8、矽基太陽能電池中，氮化矽用作鈍化膜和減反*膜；

12、本文介紹了多孔氮化矽陶瓷介電和機械*能。

16、本發明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化矽層，以及位於所述碳化矽層之上的氮化矽層。

20、用高能量密度脈衝電漿體於室溫下在氮化矽陶瓷*具上成功沉積了高硬耐磨的氮化鈦塗層。

24、其做法是在奈米級氧化矽透明襯底上生長氮化矽波導，襯底的折*率遠小於波導。

28、燒結助劑是影響氮化矽陶瓷的顯微結構和*能的關鍵因素之一。

34、有效的燒結助劑不但可以改善氮化矽陶瓷的顯微結構，而且可以提高氮化矽陶瓷的高溫*能和抗氧化*能。

38、採用光化學氣相澱積(光cvd)氮化矽薄膜進行器件的表面鈍化，使整個器件提高了可靠*。

42、在鋁電解方面，氮化矽結合碳化矽遠較*極碳塊耐腐蝕、抗氧化、電阻率高，是理想的電解槽側壁內襯材料。

46、大量的實驗研究表明，PECVD氮化矽薄膜的組成、結構及其*能與沉積引數密切相關。

50、通過將石墨烯薄片放置在一個氮化矽薄膜上，並用電子束在石墨烯上打出奈米尺度的孔，他們製作出了一系列從5到25nm直徑的孔。

1、氮化矽廠擁有國內先進的氮化矽燒結裝置。

6、氮化矽是優良的陶瓷材料，應用廣泛。

14、玻璃襯底與非晶矽膜之間的非晶氮化矽膜對非晶矽膜的晶化沒有明顯影響。

22、論述了氮化矽陶瓷材料的特點，選擇了氮化矽陶瓷軸承作為有機矽室溫膠攪拌釜底軸承並進行了相應設計。

32、降低程式設計電壓，同時仍保持十年的資料記憶時間，一直是多晶矽氮化矽氧化矽矽（SONOS）研究人員面臨的一個巨大挑戰。

40、探討如何用電子迴旋共振化學氣相沉積(ECRCVD)裝置製備非晶態氮化矽介質膜和光學膜。

48、對氮化矽結合碳化矽材料進行了摻入稀土的系統實驗，並對產品進行了力學*能測試和X*線衍*測試。

3、氮化矽、二氧化矽雙層透明膜可用作矽pin光電探測器抗反*膜。

18、浸漬強化處理是提高反應燒結氮化矽*能的有效措施。

36、目前對氮化矽材料的電子結構和光學*質的第一*原理研究較少，特別是碳摻雜的氮化矽材料的第一*原理研究更少。

52、該器件結構具有一非均勻摻雜溝道，採用氮化矽作為電荷俘獲介質，利用帶帶隧穿熱空穴注入進行程式設計，溝道FN隧穿進行擦除。

26、本文還對燒結氮化矽樣中氧的聯測結果進行了討論.

10、氮化鎵是增長了電漿體輔助(111)和分子束外延(001)矽襯底上氮化矽緩衝層使用鉿。

44、我們已經發現，可以通過*作某些膜沉積引數來調節單層氮化矽膜的應力。