如圖所示，在水平面上有一個U形金屬框架和一條跨接其上的金屬桿ab，二者構成閉合迴路且處於靜止狀態。在框架所在的...

問題詳情：

如圖所示，在水平面上有一個U形金屬框架和一條跨接其上的金屬桿ab，二者構成閉合迴路且處於靜止狀態。在框架所在的空間記憶體在勻強磁場（圖中未畫出）。下面說法正確的是

A．若磁場方向水平向右，當磁場增強時，杆ab受安培力向上

B．若磁場方向水平向右，當磁場減弱時，杆ab受安培力向上

C．若磁場方向豎直向上，當磁場增強時，杆ab受安培力向左

D．若磁場方向豎直向上，當磁場減弱時，杆ab受安培力向左

【回答】

C

【解析】

A、B、磁場方向水平向右時，穿過線框的的磁通量的零，故不能產生感生電動勢，也就沒有感應電流，則棒ab不受安培力；故A、B錯誤.

C、若磁場方向垂直紙面向上，並且磁感應強度增大時，根據楞次定律，感應電流的方向為順時針方向，根據左手定則，杆ab所受的安培力方向向左；故C正確.

D、若磁場方向垂直紙面向上，並且磁感應強度減小時，根據楞次定律，感應電流的方向為逆時針方向，根據左手定則，杆ab所受的安培力方向向右；故D錯誤.

故選C.

知識點：楞次定律

題型：選擇題