“刻蝕”造句，怎麼用刻蝕造句

劑中的材料都具有一定的刻蝕速率。

田納西河刻蝕著坎伯蘭高原的東部邊緣.

通過深紫外光刻和感應耦合電漿刻蝕裝置，製備了所設計的器件。

更精細的刻蝕技術可以孕育更高*能的微晶片，而這僅僅是開始。

與傳統溼法腐蝕比較，幹法刻蝕具有各向異*、對不同材料選擇比差別較大、均勻*與重複*好、易於實現自動連續生產等優點。

即缺陷接地結構，它是近年來提出的一種在微波平面電路接地版上刻蝕出非週期形狀的結構。

通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正*光刻膠面形，製作微機械、微光學器件提供了參考依據，對微浮雕結構的深刻蝕具有重要的指導意義。

去除熱損傷的方法是仔細切削本體金屬，然後，再做一次回火刻蝕檢查，確保切削工作沒有產生進一步的熱損傷。

列舉一些對本技術發展帶有突破*意義的里程碑，並敘述幹法刻蝕技術在微電子學和光電子學等重要應用領域的作用。

曲軸修理過程中進行曲軸剩餘強度校核十分重要，結合董氏無刻蝕鍍鐵工藝修復十分可靠。文中以某輪曲軸修復為例，介紹了鍍鐵修復工藝及曲軸強度校核計算。

通常，所有暴露在刻蝕劑中的材料都具有一定的刻蝕速率。

介紹了一種無刻蝕直流鍍鐵工藝。

本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述幹刻清洗工藝開發和評價過程。

對矽的幹法刻蝕技術是現代半導體工業中非常重要的一項工藝。

不能採用更短波長的鐳射進行晶片刻蝕已經限制了（晶片製造商）在矽晶上設計更精細的電路。

本發明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化矽層，以及位於所述碳化矽層之上的氮化矽層。

該器件採用一次深刻蝕與一次淺刻蝕，從而遮蔽掉“靜態鏡面”的影響。

目前，刻蝕技術已經成為積體電路生產中的標準技術，幹法刻蝕裝置亦成為關鍵裝置。

採用反應離子刻蝕，各向異*化學腐蝕及自限制熱氧化過程在soi襯底上製備出高質量的超精細矽量子線。

運用相位掩模法刻蝕光纖光柵，該方法對光源的時間相干*和單**要求較低，工藝簡單，成品率高。

並且詳細論述離子刻蝕的原理以及離子源的引數設計。

電漿體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結構的幹法刻蝕技術。

通過優化刻蝕引數，獲得了側壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的soi脊形波導。