“場效應電晶體”造句，怎麼用場效應電晶體造句

半導體器件。分立器件和積體電路。第8部分：場效應電晶體。

新型雙極結型場效應電晶體(BJFET)兼有雙極型和單極場效應兩種器件的功能特點。

為適應高阻抗需要，儀器輸入電路中須用特殊設計的靜電計專用電子管、場效應電晶體。

提出了一種提高高壓垂直雙擴散MOS場效應電晶體(VDMOSFET)的體二級管恢復速度的新方法。

在硬開關裡場效應電晶體的開啟波形拐點並不和漏源極電壓值同步。

更高幅值的振盪導致場效應電晶體更低的漏源極開通電壓幅值來產生更低的開關損耗和更高的系統效率。

供電電源則將14只功率場效應電晶體MOSFET接入電源變壓器次級，兩繞組的全部組合可構成18個不同扎數的次級。

神經晶片技術是一種將神經元或腦組織與場效應電晶體技術結合起來研究神經元電活動和大腦學習記憶等高階功能的新技術。

然而場效應電晶體多時候都比兩極電晶體有優勢。

現代電壓基準建立於使用整合電晶體和帶狀能隙基準、掩埋齊納二極體和結場效應電晶體。

GB/T6219-1998半導體器件分立器件第8部分:場效應電晶體第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應電晶體空白詳細規範

這些資料和結果有助於設計和研製自旋場效應電晶體、自旋發光二極體和自旋共振隧道器件等。

本文敘述採用雙柵砷化鎵場效應電晶體和高優值矽外延變容二極體實現UHF電子調諧器低噪聲化的有關設計和實驗結果。

場效應電晶體，特別是雙擴散場效應電晶體，及其製造方法。

此外，振盪器應該使用被晶體生產廠商建議的分立的雙極型場效應電晶體輸出。

他可以解釋這樣的事實：10伏特已經足夠開通金屬氧化物場效應電晶體的導電溝道。

相比矩形結構磁敏場效應電晶體，扇形磁敏場效應電晶體具有更高的相對靈敏度。

研究了有機薄膜場效應電晶體的源漏接觸電阻和溝道電阻對器件*能的影響，結果表明接觸電阻是影響器件*能的主要因素。

在金氧半導體場效應電晶體（MOSFET）的作品在一個類似的原則，但二極體的MOSFET內掩埋。