“偏置電流”造句，怎麼用偏置電流造句

通過施加規定的反向偏流，然後測量二極體兩端的電壓，即可測得反向偏置電流。

儀器內部電路和內部的偏移電壓會在儀器的輸入端引起輸入偏置電流。

所選的開關卡必須具有寬頻寬，以及良好的隔離和低偏置電流。

傳統的滯環電流控制電路通過共基極差分放大器取樣電流訊號，放大器的偏置電流會對檢測電流有較大影響。

模擬表明，在恆定的偏置電流下，沿集電結方向移動量子阱能顯著提高光學頻寬。

雖然輸入偏置電流是這種誤差的常見來源，但是外電路產生的電流在源電阻上形成的電壓降也能引起誤差。

用靜電計進行電荷測量時容易受到幾種誤差源的影響，其中包括：輸入偏置電流、輸入端壓降、產生電流和低的源阻抗等。

從而研究了待轉換的訊號光及偏置電流對轉換光功率和消光比的影響。

微弱光電流訊號的放大一直是關鍵，選用了低失調電壓和低失調電壓漂移、低輸入偏置電流和低失調電流誤差的ICL7650作為運放，設計了對光強的精密測量電路。

提出了一種能夠自產生基準電壓和偏置電流，並且鎖定閾值電壓和遲滯量穩定的新型欠壓鎖定電路。

另外，可用開關裝置實現偏置電流的脈衝，進而調製發*強度。然後，經過調製的組分被FFT分析器有選擇*地檢測。

減小探測光輸入功率，選取短波長探測光波長，增加半導體光放大器的腔長和模場限制因子以及大的偏置電流可提高轉換光消光比；

這種偏置電流也可以由摩擦電效應和壓電效應等原因在外部產生。

然而，也要考慮放大器的噪聲、輸入偏置電流、偏置電壓、MDAC解析度和毛刺能量等因素。

直流偏置電流改變了非晶帶橫向磁導率，造成阻抗變化的不對稱.

靜電計是一個理想的庫侖計，因為它具有非常低的輸入偏置電流和很高的輸入電阻。

再者，所用的放大器也要考慮在加到輸入端的整個共模電壓(範圍內)輸入偏置電流轉換保持平滑。

數值模擬發現，選擇合適的偏置電流，系統表現出週期三與混沌共存的動力學現象。

電路採用多列畫素共享容式跨阻放大器（CTIA）和DAC，用補償暗像元扣除靜態電流，校正資料經DAC轉換送至MOS管的柵極以控制偏置電流達到溫度補償目的。

利用穩態速率方程，匯出了鐳射器有源區載流子密度與偏置電流及輸入訊號光功率關係的隱函式表示式。

在測量高電阻源時要考慮的另一個問題是電壓表的輸入偏置電流。

由於具有高輸入電阻和低偏置電流，靜電計電壓表對被測電路的影響極小。

基準源作為其中關鍵模組之一，不僅需要為系統提供精準的偏置電壓和偏置電流，差分基準源還將為其提供比較電平和殘差電壓，它的*能將直接影響到系統指標。

利用數值模擬的方法研究了電流調製下偏置電流和調製頻率對垂直腔面發*半導體鐳射器(VCSEL)混沌動力學特*的影響。

根據這兩項指標，需要確定適當的鐳射器偏置電流和調製電流，並且偏置電流和調製電流需要隨溫度的變化而變化。

通過分離跟蹤差分對與交叉耦合對，並減小後者的偏置電流可以提高鎖存器的工作速度。

此外，溼度或溼氣還能夠與存在的汙染物結合起來，產生電化學效應，併產生偏置電流。

數值模擬表明：增大偏置電流、減小失諧量有利於擴充套件轉換效率及消光比的動態範圍，同時惡化了頻率啁啾的動態範圍；