“SOI”造句，怎麼用SOI造句

5、SOI Compliant Substrate for GaN Epitaxial Growth;

7、Investigation into Low Insertion-Loss & High Isolation SOI RF Switch

9、SIMOX is one of the most promising SOI technologies.

11、Fundamental Research of SOI Optical Waveguide and Optical Splitter;

13、The thick SOI films were prepared by SIMOX technology and Si epitaxy process.

15、為了獲得SOI - LDMOS器件耐壓和比導通電阻的良好折衷，提出了一種漂移區槽氧soi - LDMOS高壓器件新結構。

17、An 8×8 Rearrangeable Nonblocking SOI Thermo-optic Waveguide Switch Matrix

19、The characteristics and processing methods of ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth), one of SOI technologies, have been described.

21、然而，SOA整合中心不同於面向服務的整合(service - orientedintegration,SOI)。

23、用硅絕緣器(SOI)製造處理器是另一碼事，它們尚未批量生產。

25、傳感器的結構建立在SOI材料上，在關鍵工藝中採用硅熔融鍵合技術。

27、SOI襯底頂層硅呈現高阻狀態，合適温度的退火可以明顯降低SOI襯底頂層硅電阻率，也可部分減少外延高阻過渡層厚度。

29、Silicon-on-Insulator (SOI), boasting good optical, electronic and mechanical properties, is one of the common materials of Integrated Planar-Lightwave-Circuits (PLCs).

31、也許芯片廠商還在為將FD-SOI技術應用到移動領域的有關設計問題感到擔憂。

33、為了解決SOI材料的抗輻照總劑量問題，我們提出使用氮氧共注入形成的多埋層SOIM新結構。

35、報道了用氦離子注入智能剝離形成SOI結構硅片的新技術，介紹了這種技術的工藝和用剖面透*電鏡研究的結果。

37、工藝和*能模擬分析表明，此結構具有SOI器件低泄漏電流和低輸出電容的特*，而且能抑制自加熱效應和浮體效應。

39、與傳統體硅技術相比，SOI技術具有高速、低功耗、高集成度、良好的隔離、寄生效應小以及可靠*高等優點。

1、SOI Novel Structure Fabrication and Investigation of Suspended Type Thin Film Resonator Based on SOI;

3、SOI-based Cell Electrofusion Chip

6、Total Dose Radiation Characteristics of SOI MOSFET

10、Latch behavior in partially-depleted SOI (PDSOI) NMOS/CMOS

14、Study on the Crosswise Multi-Gate SOI MOS and Its Application in Circuits;

18、基於SOI的智能功率集成電路也得到開發。

22、The fabrication process of a compact planar waveguide etched-grating(EDG) demultiplexer based on silicon-on-insulator(SOI) is studied.

26、本文分析了SOI脊波導的單模條件，結合SOI波導模型提出了內嵌圓式正八邊形諧振腔的迴音壁模式濾波器。

30、在部分耗盡型SOI結構中，SOI中頂層硅層的厚度為50-90nm，因此溝道下方的硅層中僅有部分被耗盡層佔據，由此可導致電荷在耗盡層以下的電中*區域中累積，造成所謂的浮體效應。

34、同時，論文也對基於SOI材料的集成波導轉彎微鏡的結構及損耗、偏振特*作了總結。

38、介紹了RFSOICMOS技術的特點。着重論述了RF SOI CMOS技術的低串擾特*、低損耗特*及其優質無源元件的*能。

2、Methods for preparation of SOI wafers and the physical properties of SOI wafers are examined. And the latest development of HV SOI devices and SPIC"s are summarized."

8、Investigation of Special SOI Materials, Devices and SnO_2 Nanostructures;

16、Processors built using SOI are another are not yet in mass production.

24、Coplanar transmission lines and integrated inductors are fabricated on different SOI substrates with standard CMOS processes. The attenuation mechanism of the CPW and inductor is analyzed.

32、絕緣體上的硅（SOI）材料是製作平面光波導器件的一種主要材料，具有良好的光學、電學和機械特*。

40、模擬和測量的結果*DSOI器件與SO I器件相比，具有襯底熱阻較低的優點，因而DSOI器件在保持SOI器件電學特*優勢的同時消除了SO I器件嚴重的自熱效應。

12、In order to obtain good compromise of the breakdown voltage and the specific on-resistance of SOI-LDMOS, a SOI-LDMOS with trench oxide in drift region is proposed.

28、南方濤動指數（SOI）的波動在過去兩個星期仍然為高正值。

4、Improvement on SOI DTMOSFET Structure

36、為了提高電容式觸覺傳感陣列的*能，本工作以SOI材料中異質結界面作為深槽腐蝕中腐蝕自停止界面，以提高硅膜片的表面平整度和厚度均勻*。

20、利用SIMOX技術和硅外延工藝製備了厚膜SOI材料。