工業上利用Ga與NH3高温條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中，每生成3molH2時...

問題詳情：

工業上利用Ga與NH3高温條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中，每生成3molH2時放出30.8kJ的熱量。恆温恆容密閉體系內進行上述反應， 下列有關表達正確的是

A．I圖像中如果縱座標為正反應速率，則t時刻改變的條件可以為升温或加壓

B．II圖像中縱座標可以為鎵的轉化率

C．III圖像中縱座標可以為化學反應速率

D．IV圖像中縱座標可以為體系內混合氣體平均相對分子質量

【回答】

A

【詳解】

A．I圖象中如果縱座標為正反應速率，升高温度或增大壓強，反應速率增大，圖象符合題意，A正確；

B．Ga是固體，沒有濃度可言，不能計算其轉化率，B錯誤；

C．Ga是固體，其質量不影響反應速率，C錯誤；

D．反應方程式為2Ga（s）+2NH3（g）2GaN（s）+3H2（g）△H＜0，相同壓強下，升高温度，平衡逆向移動，平均相對分子質量增大；相同温度下，增大壓強，平衡逆向移動，平均相對分子質量增大，D錯誤；

*選A。

知識點：化學平衡圖像分析

題型：選擇題