國文屋

位置:首頁 > 練習題 > 

SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s...

練習題2.51W

問題詳情:

SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下:

SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s...

 (1)已知:① Si(s)+4HCl(g)SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s... 第2張SiCl4(g)+2H2(g) △H1=-241 kJ·mol-1

②Si(s)+3HCl(g)SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s... 第3張SiHCl3(g)+H2(g) △H2= -210 kJ·mol-1

③3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s... 第4張4SiHCl3(g) △H3= -akJ·mol-1

a=         。

(2)工業上,利用蒸餾水吸收尾氣中的*化*製鹽*。常用沉澱滴定法測定鹽*的濃度:取一定體積的鹽*用標準AgNO3溶液滴定,用K2CrO4溶液作指示劑。已知:298 K時Ksp(AgCl)、Ksp(Ag2CrO4)分別為 1.8×10-10、l.0×10-12。

若選擇K2CrO4為指示劑,使溶液中c(CrO42-)=0.01 mol·L-1。當產生黃*Ag2CrO4沉澱時,c(Cl-)=           mol·L-1。

(3)研究反應③最適合的反應温度,四*化硅的轉化率隨温度的變化曲線如圖所示。

SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s... 第5張

①圖像中表示SiHCl3(g)的正反應速率小於SiHCl3(g)的逆反應速率的點是       (填“A”“B”或“C”)。

②温度低於500℃時,隨着温度升高,四*化硅的轉化率增大,其原因是               。

(4)一定温度下,向2L恆容密閉器中充入一定量的SiCl4(g)、H2(g)和Si(s)發生反應③,經過tmin達到平衡。測得平衡體系中H2、SiHCl3(g)的物質的量濃度分別為2mol·L-1、1 mol·L-1。

(i)從反應開始到平衡時SiCl4的平均速率為          。

(ii)在該條件下,H2的平衡轉化率為        。升髙温度,該反應的平衡常數        (填“增大”,“減小”或“不變”)。

(iii)若平衡後再向容器中充入與起始時等量的SiCl4(g)和H2(g)(假設硅足量),當反應再次達到平衡時,與原平衡相比較,H2的體積分數將         (填“增大”“減小”或“不變”)。

(iv)若平衡後,將容器的體積壓縮至1L(硅足量),再次達到平衡時,H2的物質的量濃度範圍為         。

【回答】

(1)117 (1分)(2)1.8×10-5 (2分)

(3)①C (1分)②500℃之前反應未達到平衡,升高温度,反應速率加快(1分)

(4)(i)SiCl4在室温下為無*液體,易揮發,有強烈的刺激*氣味。工業上,提純粗硅的原理如下: (1)已知:①Si(s... 第6張mol·L-1·min-1 (2 分)(ii)20% (2分)減小(1 分)(iii)減小(2 分)(iV)2 mol·L-1<c(H2)<4 mol·L-1(2分)

知識點:化學的反應中的物質變化和能量變化單元測試

題型:實驗,探究題